Samsung đối mặt án phạt 1,2 tỷ USD tại Mỹ do vi phạm sáng chế
6/19/2018 10:19:00 AM
Tòa án Liên bang Mỹ đã đưa ra phán quyết Samsung vi phạm sở hữu trí tuệ đối với công nghệ FinFET được sử dụng trong chip xử lý mà KAIST IP US nắm giữ.Xem tiếp
.
.
.

                                     

TRUNG TÂM THÔNG TIN CÔNG NGHIỆP VÀ THƯƠNG MẠI VIỆT NAM - BỘ CÔNG THƯƠNG.

Giấy phép của Bộ Thông tin và Truyền thông số 55/GP-TTĐT, cấp ngày 02/6/2015.
Địa chỉ: 655 Phạm Văn Đồng - Bắc Từ Liêm - Hà Nội.